30/01/2003

Samsung Electronics создала самую быструю память в мире

Компания Samsung Electronics анонсировала разработку самой быстрой в мире памяти. Предназначается новая память для серверов и рабочих станций следующего поколения.

Последней разработкой компании в этой области были чипы памяти DDR II с напряжением питания в 1,8 В. Новая память DDR3 потребляет всего лишь 1,2 В питания. Кроме того, 72-мегабайтные чипы обладают пропускной способностью в 1,5 Гбит/сек.

Ячейки размером менее одной миллионной квадратного метра были получены с помощью фтор-криптонового лазера. Подробности технологии будут освещены на выставке International Solid-State Circuits Conference (Международная конференция по твердотельным полупроводникам), которая пройдет с 9 по 13 февраля в Сан-Франциско (штат Калифорния).

Серийное производство 72-мегабайтных модулей DDR3 начнется во второй половине 2003 года. Пока существует только опытный образец объёмом 32 Мб.

Версия для распечатки